| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
SI4668DY-T1-E3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 闂備焦妞垮鈧紒鎻掝煼閹焦绂掔€ｎ偅娅栭梺璺ㄥ櫐閹凤拷0755-83217923 询价QQ：  |
||
|
SI4668DY-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：25V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：16.2A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1654pF @ 15V 功率 - 最大值：5W 安装类型：表面贴装 |
|||||
热门型号： 拨动开关A19JP Card EdgeHMC12DRES-S734 RF 二极管HSMP-3890-TR1G 圆形 - 外壳ACT90WG41BN 可配置开关元件 -A22L-01A-T1 编码器AEDS-8001-A11 璋愭尟鍣?xlidAWSCR-10.00CV-T DIPA6RS-101RF-P 振荡器CSX750PCC25.0000M-UT DIPKAJ09LAGT |
|||||